���f�B�A

SiC�p���[�f�o�C�X��EV�̑��s������5���L�΂��F���_������i1/2 �y�[�W�j

SiC�p���[�f�o�C�X�̎s��͂�����x�������Ă�����̂́A�ꕔ�̎����ԃ��[�J�[�ł́ASiC�p���[�f�o�C�X�̗̍p�����߂炤�X�����܂��݂���B�{�e�ł́A�d�C�����ԁiEV�j�̃g���N�V�����C���o�[�^�[��SiC�p���[�f�o�C�X���̗p�����ۂ̗��_���������B

» 2023�N10��06�� 10��00�� ���J

�@�d�C�����ԁiEV�j�́A����҂̎��v�̍��܂��‹��ւ̌��O�^�K���A���p�”\�ȃI�v�V�����Ȃǂ̌㉟�����󂯁A�������������Ă���B2023�N2���Ɍ��J���ꂽ�S�[���h�}���T�b�N�X�̒����ɂ��ƁAEV��2023�N�ɂ����鐢�E�̎����Ԕ̔��䐔�̂���10�����߂錩���݂ŁA2030�N�܂ł�30���A2035�N�܂łɂ�50�����߂�Ɨ\�z����Ă���B

�@����AEV�����̎�ȏ�ǂƂ��Ă͍q��������[�d�p�x�ւ̕s�����������Ă���B���̂��߁AEV�����̑��i�ɂ́A�R�X�g��啝�ɑ��������邱�ƂȂ��ԗ��̍q�����������΂��Z�p�J�������߂��Ă���B

�@�{�e�ł́A�g���N�V�����C���o�[�^�[��SiC�i�Y���P�C�f�j�p���[MOSFET���g�p���邱�ƂŁAEV�̍q���������ő�5�������ł��邱�Ƃ��������B�܂��A�ꕔ�̎����ԃ��[�J�[���V���R���x�[�X�̐≏�Q�[�g�o�C�|�[���g�����W�X�^�iIGBT�j����SiC�f�o�C�X�ւ̈ڍs�ɏ��ɓI�ł��闝�R�ƁA���n���‚‚��郏�C�h�o���h�M���b�v�����̋Z�p�ւ̐M���𓾂邽�߂̃I���Z�~�̎��g�݂ɂ‚��Ă���������B

EV�g���N�V�����C���o�[�^�[�̐݌v�g�����h

�@EV�̃g���N�V�����i���C���j�C���o�[�^�[�́A�o�b�e���[��DC�d�����A�ԗ��𐄐i������g���N�V�������[�^�[�ɕK�v��AC�d���ɕϊ�����V�X�e�����B�ߔN�̃g���N�V�����C���o�[�^�[�̐݌v�g�����h���ȉ��ɋ�����B

  • �o�͂̑���F�C���o�[�^�[�̏o�͂��傫���قǁA�ԗ��͑�����������
  • �����̌���F���i�ɗ��p�”\�ȓd�͂𑝂₷�ɂ́A�C���o�[�^�[�������d�͗ʂ��ŏ����ɗ}����K�v������
  • ���d�����F�ŋ߂܂�400V�o�b�e���[���ł���ʓI���������A�����ԋƊE�ł͓d���A�P�[�u���̑����A�d�ʂ����炷���߂�800V�Ɉڍs���Ă���BEV�̃g���N�V�����C���o�[�^�[�ɂ́A���̂悤�ȍ��d���ɑΉ��ł���K�؂ȃR���|�[�l���g���̗p����K�v������
  • �y�ʉ��Ə��^���FSiC�̓V���R���x�[�X��IGBT�ɔ�ׂēd�͖��x�ikW/kg�j�������Ȃ��Ă���B�d�͖��x�������ƃV�X�e���T�C�Y�ikW/���b�g���j���k���ł���B����ɂ���ăg���N�V�����C���o�[�^�[�̏d�ʂ��y���Ȃ�A�d�C���[�^�[�̕��ׂ��ጸ�����B�ԗ����y�ʉ������ƁA�����o�b�e���[�e�ʂŎԗ��̍q�������������ł��A�p���[�g���C�������^���ł��邽�߁A�����g�����N�^�t�����N�i�t�����g�g�����N�j�̐ύڃX�y�[�X����������
}1FEVgNVCo[^݌v̍ŋ߂̃gh �}1�FEV�g���N�V�����C���o�[�^�݌v�̍ŋ߂̃g�����h�m�N���b�N�Ŋg��n �o���Fonsemi

SiC�̗��_

�@SiC�ɂ́A�V���R�������D�ꂽ�����������‚�����A�g���N�V�����C���o�[�^�[�̐݌v�ɓK���Ă���B�܂��͍d�x���B�V���R���̍d�x6.5Mohs�ɑ΂���SiC��9.5Mohs�ł���B���̂��ߍ����Č��ɓK���Ă��āA�@�B�I���S���iMechanical Integrity�j�����シ��B����ɁASiC�̔M�`�����i4.9W/cm.K�j�̓V���R���i1.15W/cm.K�j��4�{�ȏ�̂��߁A�����悭�M��`�B����B����ɂ��A�����ł�����̐M���������シ��B�Ō�ɁASiC�̓V���R���Ɣ�r���āA�u���[�N�_�E���d����8�{�����i300kV/cm�ɑ΂���2500kV/cm�j�A�o���h�M���b�v���L���A�I���^�I�t�̐؂�ւ����������߁A���d���i800V�j�����i��EV�̃A�[�L�e�N�`���ɓK���Ă���B

�@�@�@�@�@�@ 1|2 ���̃y�[�W��

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSS�t�B�[�h

����SNS

EDN �C�O�l�b�g���[�N

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.

OSZAR »